Memoria DDR3 Hynix de 2 GB a 1600 MHz
Módulo de memoria para ampliar o reemplazar RAM en equipos compatibles con DDR3. Antes de elegirlo, revise el tipo de memoria admitido por la placa madre, el formato del módulo, la capacidad máxima y los módulos que ya tiene instalados.
DDR3 y DDR4 no son intercambiables. Envíenos el modelo de su equipo o motherboard para revisar la compatibilidad. La frecuencia efectiva depende de la plataforma y de su configuración.
Consulte disponibilidad y compare alternativas en la categoría de memorias RAM. Si necesita evaluar la actualización de sus puestos de trabajo, conozca Soluciones IT de SILEX.
Datos técnicos publicados del módulo
• JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) • 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
• 8 independent internal bank
• Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6
• Programmable Additive Latency: 0, CL – 2, or CL – 1 clock
• 8-bit pre-fetch
• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow
seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
• Bi-directional Differential Data Strobe
• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
• On Die Termination using ODT pin
• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE < 95°C
• Asynchronous Reset
• PCB : Height 1.180” (30.00mm), single sided component
